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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
57
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.5
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
46
Velocità di lettura, GB/s
6.8
10.5
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2368
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
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