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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
比较
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
总分
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
46
57
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
46
读取速度,GB/s
6.8
10.5
写入速度,GB/s
5.5
8.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1244
2368
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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