RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
37
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
18
37
Velocità di lettura, GB/s
17.7
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
13.1
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2926
2808
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link