RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
37
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
18
37
Velocidade de leitura, GB/s
17.7
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
13.1
12.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2926
2808
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Comparações de RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link