RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
75
Intorno -257% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
21
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
2950
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link