RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
14.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
75
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
30
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3657
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link