RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
75
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3657
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link