RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
75
Intorno -127% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
33
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3131
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link