RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
75
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
27
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3587
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link