RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Confronto
Kingston 99U5471-012.A00 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
67
Intorno -97% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.1
6.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
3.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
67
34
Velocità di lettura, GB/s
6.4
11.1
Velocità di scrittura, GB/s
3.2
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
988
2319
Kingston 99U5471-012.A00 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Corsair CM3X2G1600C8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link