RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Confronto
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
54
Intorno 54% latenza inferiore
Motivi da considerare
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
54
Velocità di lettura, GB/s
13.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1995
2938
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link