RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2938
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link