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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
58
84
Intorno -45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
84
58
Velocità di lettura, GB/s
5.0
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
1998
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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