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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

総合得点
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

総合得点
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB 考慮すべき理由
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB 考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    58 left arrow 84
    周辺 -45% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.5 left arrow 5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 3.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    84 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    5.0 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.6 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    878 left arrow 1998

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