RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Porównaj
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Wynik ogólny
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
84
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
3.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
84
58
Prędkość odczytu, GB/s
5.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
3.6
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
1998
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link