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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Confronto
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
101
Intorno 72% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.1
10.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
101
Velocità di lettura, GB/s
10.4
12.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1560
1382
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
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