RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
13.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
77
Intorno -157% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
30
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3272
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link