Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Punteggio complessivo
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Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 41
    Intorno 27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.5 left arrow 7.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.2 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 17000
    Intorno 1.13% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR5 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    30 left arrow 41
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.5 left arrow 7.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    13.2 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    19200 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    no data / 2400 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3343 left arrow 1512
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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