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Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Kingston KF552C40-16 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Pontuação geral
Kingston KF552C40-16 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KF552C40-16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
6.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KF552C40-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR5
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
41
Velocidade de leitura, GB/s
15.5
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
13.2
6.1
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3343
1512
Kingston KF552C40-16 16GB Comparações de RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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