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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Confronto
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
71
Intorno 42% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
13.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
71
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2348
1902
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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