RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
71
Wokół strony 42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
71
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2348
1902
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link