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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比较
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
总分
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
71
左右 42% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
71
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
9.2
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2348
1902
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Frequency (Mhz) *
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Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
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