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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Confronto
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
31
Intorno 16% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
11.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
31
Velocità di lettura, GB/s
13.9
11.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2432
2026
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6BFR8A-PB 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
NXP (Philips) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
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