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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
75
Intorno -70% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.5
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.6
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
44
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
1660
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
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