RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
75
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
44
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
1660
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link