RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
20.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
50
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.7
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
20
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
20.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
15.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
3726
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Inmos + 256MB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link