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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Punteggio complessivo
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Punteggio complessivo
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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Motivi da considerare
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    59 left arrow 85
    Intorno 31% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 11.3
    Valore medio nei test
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Segnala un bug
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    6.0 left arrow 1,855.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 5300
    Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    59 left arrow 85
  • Velocità di lettura, GB/s
    4,168.0 left arrow 11.3
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,855.7 left arrow 6.0
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    680 left arrow 1118

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Confronto tra le RAM

Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Confronto tra le RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

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InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
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Memoria RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Memoria RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Memoria RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston 9905700-046.A00G 16GB
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Memoria RAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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