RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Vergleichen Sie
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Gesamtnote
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
59
85
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.0
1,855.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.0
11.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,855.7
6.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
680
1118
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link