RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Porównaj
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Wynik ogólny
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
59
85
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,855.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
85
Prędkość odczytu, GB/s
4,168.0
11.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,855.7
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
680
1118
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1HS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link