RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2571
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link