RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
35
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
35
Velocità di lettura, GB/s
17.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2571
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link