RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
43
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
33
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
3341
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link