RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
43
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1706
3341
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link