RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Comparar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
35
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
15.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
33
35
Velocidade de leitura, GB/s
17.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3285
2571
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link