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Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
37
Intorno 11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
14
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
37
Velocità di lettura, GB/s
17.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
2277
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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