Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

总分
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

总分
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    33 left arrow 37
    左右 11% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    17.8 left arrow 14
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    12.5 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 21300
    左右 1.2% 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    33 left arrow 37
  • 读取速度,GB/s
    17.8 left arrow 14.0
  • 写入速度,GB/s
    12.5 left arrow 9.7
  • 内存带宽,mbps
    25600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    3285 left arrow 2277
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较