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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.1
9.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
39
Velocità di lettura, GB/s
13.9
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
9.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2581
2419
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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