Confronto tra le RAM Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 33

Intorno 12% latenza inferiore

Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.5 10.5

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.8 7.1

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 8500

Intorno 3.01 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1425 3341

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns