Comparação RAM Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Pontuação geral

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 33

Por volta de 12% menor latência

Razões a considerar
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.5 10.5

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.8 7.1

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 8500

Por volta de 3.01 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1066 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1425 3341

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns