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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno 2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
41
Velocità di lettura, GB/s
13.6
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
7.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
2126
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
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