RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Confronto
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Punteggio complessivo
INTENSO 5641160 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
INTENSO 5641160 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
25
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
15.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
23
Velocità di lettura, GB/s
15.4
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
11.3
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2696
2613
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-RD 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
INTENSO 5641160 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link