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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Comparez
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
Note globale
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Note globale
INTENSO 5641160 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 5641160 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
25
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
14900
Autour de 1.14 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
17000
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2696
2613
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparaison des RAM
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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