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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
比较
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs INTENSO 5641160 8GB
总分
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
总分
INTENSO 5641160 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.3
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
INTENSO 5641160 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
15.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
INTENSO 5641160 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
23
读取速度,GB/s
15.4
16.1
写入速度,GB/s
11.3
10.2
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2696
2613
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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