RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de 12% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link