RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2086
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C-PB 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link