RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
40
Wokół strony -74% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.9
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1789
3011
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link