RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
46
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2930
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5458-009.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link