RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de 11% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
27
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link