RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2912
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link