RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
104
Autour de -181% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2591
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link