RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2591
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link